삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 컴퓨트익스프레스링크(CXL)와 고대역폭메모리(HBM) 등 인공지능(AI) 시대를 이끌 차세대 메모리 반도체 솔루션을 여럿 소개했다. 늘어나는 메모리 성능 과제에 대응하기 위해 두 가지 제품 축을 기반으로 기술 혁신을 지속하겠다는 계획도 밝혔다.

​성전자는 미주 메모리연구소장인 최진혁 부사장과 D램 개발실장인 황상준 부사장이 26일(현지시간) 미국 캘리포니아주 마운티뷰 컴퓨터 역사 박물관에서 열린 '멤콘(MEMCON) 2024' 기조연설을 했다고 밝혔다. 최 부사장과 황 부사장은 이날 AI 시대 CXL 기반 메모리와 고성능, 고용량 HBM 솔루션이 업계 혁신을 주도하고 있다고 설명했다. 또 용량 측면에서는 CXL, 대역폭 측면에서는 HBM 기술이 미래 AI 시대를 주도해 나갈 것이라고 강조했다.

CXL은 고성능 서버 시스템에서 중앙처리장치(CPU)와 쓰이는 가속기, D램 등을 연결해 데이터 처리 속도를 높이는 고속 입출력 인터페이스 표준(PCIe) 기반 차세대 인터페이스다. 메모리 확장성을 높여 용량을 늘리는 데 이점이 크다. HBM은 여러 개 D램을 쌓아 대역폭을 확 키운 고성능·고용량 D램이다. 대역폭은 일정 시간에 전송할 수 있는 데이터 처리량으로, 대역폭이 커질수록 더 많은 데이터를 빠르게 전송할 수 있다.

최 부사장은 이날 CXL 기반의 다양한 혁신 솔루션을 발표했다. 소개된 CXL 메모리 모듈(CMM) 제품은 'CMM-D(DRAM)'와 낸드와 D램을 함께 사용하는 'CMM-H(Hybrid)', 메모리 풀링 솔루션인 'CMM-B(Box)' 등이다. CXL 메모리 풀링은 여러 대 서버에서 사용되는 메모리를 하나의 풀로 묶어 관리하는 기술이다. 최 부사장은 CXL 기반 솔루션을 통해 메모리 용량과 대역폭을 대거 향상시킬 수 있다며 "지속적인 메모리 혁신과 파트너와의 강력한 협력을 통해 AI 시대 반도체 기술 발전을 이끌겠다"고 말했다.

황 부사장은 삼성전자의 D램, HBM 솔루션 기술력을 소개하며 AI 시대 고성능 고용량 메모리 리더십을 이어가겠다고 밝혔다. 현재 양산 중인 HBM 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품에 이어 12단 5세대(HBM3E)와 32Gb(기가비트) 기반 128GB(기가바이트) 더블데이터레이트(DDR)5 제품을 상반기에 양산하겠다고 예고했다. 6세대(HBM4) 제품의 경우 버퍼 다이(Buffer Die)에 로직 공정을 도입해 AI 시대 메모리 반도체 혁신을 이어간다는 계획이다.

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